第九百六十八章 ；碳基芯片的突破~(第4/8 页)
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因此，材料研究所这边联合了华威的海思、中芯国际、北大的碳基电子学研究中心的等芯片领域的企业和高校，共同推进这一项目。
国内在顶尖的低纳米硅基芯片上虽然有所不足，但是次级芯片上的研发制备上是有着完整体系的。
海思在芯片设计领域的设计能力，中芯国际的完整工艺制造能力，北大碳基电子研究中心的碳芯研究，再加上星海研究院的碳基衬底和高密度碳纳米管排列技术。
一套近乎完整的碳基芯片研发、设计、制备、生产流程就这样拼凑出来了。
而在年初的时候，他们顺利的制备出来了集成了数百万枚‘osfet金属-氧化物半导体场效应晶体管’和‘jfet结型场效应管’的半成品碳基芯片。
不过这距离完整的碳基芯片还有很长的一段路要走。
徐川本来以为这可能还需要至少一年左右的时间才能做到，没想到这才仅仅半年过去，他们就将完整的碳基芯片给弄出来了。
这个效率，的确有些惊人啊。
电话对面，赵光贵笑着开口说道：“主要是华威海思和中芯国际那边的人给力，这半年多以来，对面的研发人员全都泡在这个项目上了，几乎二十四小时不离开实验大楼。”
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